直拉硅 - 硅光学晶体基片透过率、定制厂家

直拉硅（CZ）

直拉硅晶体（CZ）是一种通过直拉法制备的硅单晶。直拉硅主要用于制造集成电路和半导体器件，具有高纯度、高密度、大规模等优点。其制造过程需要经过一系列工艺切割才能得到适用于不同应用的硅晶圆。用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。其可加工形状为圆形、矩形、开孔、弯月、楔角、平凸、平凹、双凸、双凹、开球、棱形。微米光学拥有完备的光学晶体生产设备和经验，可提供高质量的直拉硅晶体。作为光学晶体厂家，还可以根据需求为您定制不同形状规格的光学晶体，如您有任何问题或需求，欢迎在线咨询。

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	直径(mm)	厚度(mm)	晶体结构	晶向
	筛选重置 3-300	筛选重置 0.5-60	筛选重置单晶	筛选重置 <100> <110> <111>
更多参数+ 收回	3-300	0.5-60	单晶	<100>
直拉硅（CZ），3-300mm，单晶<100>方向产品编码：SiD003 直径(mm)：3-300 厚度(mm)：0.5-60 晶体结构：单晶晶向：<100> 形状：可定制直径公差(mm)：+0.0/-0.1 厚度公差(mm)：±0.1 材质：硅透过范围：1-10μm 密度(g/cm³)：2.33 REACH报告：符合标准 ROHS报告：符合标准
更多参数+ 收回	3-300	0.5-60	单晶	<110>
直拉硅（CZ），3-300mm，单晶<110>方向产品编码：SiD002 直径(mm)：3-300 厚度(mm)：0.5-60 晶体结构：单晶晶向：<110> 形状：可定制直径公差(mm)：+0.0/-0.1 厚度公差(mm)：±0.1 材质：硅透过范围：1-10μm 密度(g/cm³)：2.33 REACH报告：符合标准 ROHS报告：符合标准
更多参数+ 收回	3-300	0.5-60	单晶	<111>
直拉硅（CZ），3-300mm，单晶<111>方向产品编码：SiD001 直径(mm)：3-300 厚度(mm)：0.5-60 晶体结构：单晶晶向：<111> 形状：可定制直径公差(mm)：+0.0/-0.1 厚度公差(mm)：±0.1 材质：硅透过范围：1-10μm 密度(g/cm³)：2.33 REACH报告：符合标准 ROHS报告：符合标准

材料数据表Material Data
光学特性Optical Properties
透过范围Transmission Range	1.2-15μm
折射率Refractive Index	3.41776%@10μm
反射损耗Reflection Loss	46.1%@10μm
结构Structure	Single crystal,synthetic
解离面Cleavage Planes	<111>
物理特性Physical Properties
密度Density[g/cm3]	2.33
熔点Melting Point [℃]	1414
热导率ThermalConductivity [W/(m×K)]	163 @ 313K
热膨胀系数Thermal Expansion [10-6/K]	2.6 @ 293K
努氏硬度Knoop Hardness [kg/mm2]	1100
比热容Specific Heat Capacity [J/(kg×K)]	712.8
介电常数Dielectric Constant	13 @f= 9.37GHz
杨氏模量Young's Modulus (E) [GPa]	130.91
剪切模量Shear Modulus(G) [GPa]	79.92
体积模量Bulk modulus(K) [GPa]	101.97
泊松系数Poisson Coefficient	0.266
化学特性Chemical Properties
溶解度Solubility / g/L	None
分子量Molecular Weight / g/mol	28.09

直拉硅（CZ）

技术参数

材料数据

透过率

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